“数据发作”时代存储市场加速开展 国内存储财产正在追逐

每经记者：郭荣村 每经练习记者：安宇飞 每经编纂：陈豪杰

9月14日，2021年中国闪存市场峰会（以下简称峰会）在深圳召开，大会由国内存储市场资讯平台CFM闪存市场主办。

CFM闪存市场总司理邰炜暗示，“因为疫情，过去20多个月以来我们的生活体例发作了良多的变革。在线上经济，包罗长途办公、网上教育等需求下，全球NAND Flash的总供给量将在本年同比增长39%，DRAM将同比增长21%”。

在行业加速开展的布景下，中国半导体存储财产也在快速开展。在峰会上发布的《2021年全球存储市场趋向白皮书》（以下简称《白皮书》）显示，中国半导体存储财产起步较晚，目前已打破1%的全球市场占有率，并在手艺上缩小了与国际原厂的差距，实现了支流手艺的量产。

存储市场加速开展

存储器，又称为存储芯片，是半导体行业的收柱型财产之一。

承平洋证券一份研报援引Gartner数据称，2020年全球存储器收入增加135亿美圆（比拟2019年），占2020年整个半导体市场收入增长的44%。《白皮书》指出，存储器约占整个半导体行业产值的27%。

据领会，目前存储器次要分NAND Flash和DRAM两种。此中NAND Flash又被称为“闪存”，是一种非易失性存储芯片，断电不会丧失数据，具备读写功用，能够撑持屡次擦除和反复编程。而DRAM指的是动态随机存取存储器，速度比NAND Flash更快，但断电会丧失数据，次要用于存储短时间利用的法式。

而疫情的到来，给存储器行业摁下了“加速键”。《白皮书》指出，疫情下人们转向于居家办公和网上进修等，增加了办事器以及PC需求，存储器也成为2020年表示更好的范畴。

简单而言，办公、教学等范畴的线上转型，以及AI、5G、物联网等新手艺的开展，使得全球数据量呈现“爆炸性增长”。而良多数据都需要存储，从而加速了存储行业的开展。

全球半导体贮存龙头企业之一美光科技有限公司（以下简称美光）的集团副总裁Dinesh Bahal在峰会上提到了“Decade in Days”（几日即几十年）。他认为一场庞大的数字化转型已经发作，涵盖了人们工做、进修、娱乐等各个方面，人们等待世界会在10年内发作的（数字化）变化，以至在数周内就发作了。

虽然各范畴在疫情下的“数字化转型”带动了存储市场需求的增长，但在全球缺芯的场面下，存储市场也呈现了供需失衡。

邰炜暗示，整体存储市场已经由求过于供改变成构造性的供需失衡。由晶圆代工产能不敷引发的缺芯海潮逐步蔓延到全财产链，目前最缺的PMIC（电源办理芯片）短期难以缓解，主控芯片供给有所改善。缺货引发囤货，再加上手机上半年为抢市场提早扩容，PC、办事器的需求兴旺，使得存储器呈现涨价。

据CFM闪存市场数据，本年前两个季度存储原厂（指存储器的消费造造商）DRAM和NAND Flash价格快速上涨。从1月份到8月份，整个DRAM和NAND Flash的综合价格指数别离上涨了18.4%和12.4%。

不外，邰炜认为，四时度除了企业级SSD供给仍然严重，其他各类产物的供给都将快速增加，三季度很有可能是本轮价格的分水岭。

按照CFM闪存市场数据阐发，从2020年到2025年，手机市场、PC市场、数据中心市场对存储器的需求将别离以31%、22%、39%的复合增长率增长。

国内存储财产仍在追逐

目前全球存储市场的合作格局若何？

华泰证券一份研报指出，按照Gartner数据，2020年全球存储器市场规模到达1245.4亿美圆,目前韩、美、日厂商几乎垄断全球存储器市场，我国存储芯片几乎完全依靠进口。但长江存储、长鑫存储手艺有限公司(以下简称长鑫存储)等存储项目正稳步推进。

据CFM闪存市场统计，2020年全年三星NAND Flash的营收在全球各存储原厂NAND Flash总营收中的占比高达33%，铠侠占比19%，西部数据占15%，美光和SK海力士各占11%，英特尔占10%。DRAM方面呈“鼎足之势”格局，三星营收占比高达43%，SK海力士和美光别离占比29%和23%。固然国内的长江存储和长鑫存储起步较晚，但在2020年三季度纷繁打破1%的市场份额。

从市场需求来看，中国已成为全球存储器最重要的需求市场之一。CFM闪存市场数据显示，在中国的DRAM和NAND Flash销售规模占据全球30%以上市场份额。

而中国的存储原厂正在手艺层面加速追逐。据领会，NAND Flash在开展过程中逐步由平面构造晋级为三维架构，通过工艺手艺的提拔，能够逐步增加存储单位的层数，实如今单元面积下更高的存储容量。

据英特尔NPSG亚太区销售总监倪锦峰介绍，英特尔的144层3D NAND已于2020年大规模量产。

《白皮书》指出，中国半导体存储财产起步较晚，且初期开展其实不平衡，更偏向于封测、模组以及国外品牌代办署理销售。长江存储和长鑫存储2016年成立，别离补上了中国在NAND Flash和DRAM市场核心供给环节的空白。长江存储128层3D NAND Flash、长鑫存储DDR4/LPDDR4X等产物的量产，已经缩小了与业内先辈程度的差距。

但《白皮书》同时暗示，中国存储原厂现有产能规模仍然较小，不敷以支持起庞大的市场需求。中国存储开展仍然面对难题，无论是手艺仍是产能都需要巨额的投资，但目前中国的存储投资力度与国外厂商比拟还有很大差距，如三星每年投入超200亿美圆。动辄百亿级此外投资，仅依靠还在起步阶段的企业本身造血远远不敷。

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