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超高带宽的动态随机存储器问世

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超高带宽的动态随机存储器问世

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科技日报讯(记者 邰举)韩国SK海力士日前颁布发表,该公司开发胜利HBM3动态随机存取存储器(DRAM),每秒可以处置819GB的数据,内置ECC校检。

该HBM3DRAM将以16GB和24GB两种容量上市。此中24GB是业界目前更大容量。在24GB产物中,单品DRAM芯片的高度被磨削到约30μm,利用TSV手艺垂曲毗连12个芯片。

HBM3被称为第四代HBM,由多个垂曲毗连的DRAM芯片堆叠而成,可以立异性地进步内存带宽。

SK海力士2020年7月在业界更先起头量产HBM2DRAM。SK海力士强调,将继续稳固高端存储器市场指导力,供给契合ESG(情况、社会、公司治理)运营理念的产物,尽更大勤奋进步客户价值。

图为HBM3DRAM产物封拆。

(SK海力士供给) 【投稿、区域合做请私信或发3469887933#电话.com24小时内回复。】

阅读 隐藏边栏发布日期:2021-11-03 16:39:34 所属分类: 头条

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